C2GR16-气相沉积炉

一、设备基本原理与特点

1.基本原理

热诱导化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式，无论是单晶，多晶，无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳，碳化硅，氮化硼。通过使用合成前体，涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求，根据工艺参数，可以有多种层厚度，从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层，以及厚度达100微米的单片部件，甚至高达数毫米。

2.设备特点

1. 采用卧式、侧开门结构:装、卸料精度高，操作方便;
2. 采用先进的控制技术，能精密控制MTS的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小;
3. 温度均匀性好:平均温度均匀性为±5℃;
4. 采用多通道沉积气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好;
5. 全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强;
6. 安全性能好:采用HMI+PLC+PID压力传感控制，安全可靠;
7. 对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;
8. 多级高效尾气处理系统，环境友好，能高效收集焦油及副产物，易清理;
9. 采用设计防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率极低。

二、主要技术参数

编号	C2GR16
产品型号	VHCgr-20/20/30-1600
最高设计温度（℃）	1600
加热元件	等静压石墨
加热功率（Kw）	45
冷态极限真空度（Pa）	6.7x10-3Pa（空炉、冷态、经净化）
测温元件	钨铼热电偶
升温速率	1~20℃/min
温度均匀性	±5℃（5点测温，恒温区1000℃保温1h后检测）
炉膛尺寸（mm）	200x200x300（WxHxD）
可通入气氛	1路CH3SiCI3、1路氨气、1路氢气、1路氮气
气氛流量计	4路质量流量计
设备外形尺寸（mm）	1425x1550x1850mm(DxWxH)

化学气相沉积炉(碳化硅)可用于以硅烷为气源的材料表面抗氧化涂层、基体改性等。立式化学气相沉积炉(沉积炭)可用于以碳气体(如C3H8、CH4等)为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理。卧式化学气相沉积炉(SiC、BN)可用于材料的表面涂层、基体改性、复合材料制备等外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等。