CVD系统

产品详情

高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

产品特点

高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维，不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝，温场均匀，能耗低；

4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作;

5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6；

7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制；

8、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。

产品参数

型号	HTF1200-2.5/20-2F-LV	HTF1200-5/20-4F-HV	HTF1200-6/40-2M-LV	HTF1200-8/40-4M-HV
最高温度（℃）	1200	1200	1200	1200
控温精度（℃）	±1	±1	±1	±1
加热区直径（mm）	25	50	60	80
加热区长度（mm）	200	200	400	400
加热管长度（mm）	450	450	1000	1000
恒温区长度（mm）	80	80	150	150
额定电压（V)	220	220	220	220
额定功率(KVA)	1.2	1.2	3	3
真空机组	HTF-101	HTF-103	HTF-101	HTF-103
供气系统	HTF-2F	HTF-4F	HTF-2M	HTF-4M